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MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置

MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置
MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置

MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置絕緣子良好的憎水性可以很好的防止污閃,減少事故發(fā)生。所謂憎水性是指絕緣子表面不易受潮,吸附的水分以不連續(xù)的孤立小水珠的形式存在,不形成連續(xù)水膜,從而限制了表面泄漏電流,提高閃絡(luò)電壓。

產(chǎn)品型號(hào):

聯(lián)系方式

13524731726

產(chǎn)品介紹

MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置

絕緣子良好的憎水性可以很好的防止污閃,減少事故發(fā)生。所謂憎水性是指絕緣子表面不易受潮,吸附的水分以不連續(xù)的孤立小水珠的形式存在,不形成連續(xù)水膜,從而限制了表面泄漏電流,提高閃絡(luò)電壓。憎水性等級(jí)較差的絕緣子在運(yùn)行中極易發(fā)生沿面閃絡(luò),造成污閃。污閃事故往往造成大面積、長時(shí)間停電,導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)受到嚴(yán)重?fù)p失,因此復(fù)合絕緣子在出廠前必須進(jìn)行憎水性等級(jí)評(píng)價(jià)。

復(fù)合絕緣子憎水性實(shí)驗(yàn)室評(píng)價(jià)系統(tǒng)是基于IEC推薦的由瑞典輸配電研究所(STRI)提出的憎水性檢測(cè)技術(shù)噴水分級(jí)法,按照電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(DL/T 864-2004,GB24622-2009)中對(duì)噴水分級(jí)法的規(guī)定,對(duì)絕緣子傘裙進(jìn)行精確定量噴灑水霧;拍攝被測(cè)絕緣子表面高清憎水圖片;并由憎水性分析軟件進(jìn)行分析;軟件基于先進(jìn)的數(shù)字圖像處理技術(shù),通過提取憎水性圖片的信息熵、種子率、頻譜幅值等信息,計(jì)算水珠或水跡的形狀因子和面積百分比,對(duì)復(fù)合絕緣子的憎水性狀態(tài)進(jìn)行客觀判斷,終按照DL/T810-2012中對(duì)憎水性的等級(jí)特征描述,確定絕緣子憎水性級(jí)別。

MC-HS864復(fù)合絕緣子憎水性實(shí)驗(yàn)室評(píng)價(jià)系統(tǒng)主要由檢測(cè)機(jī)柜裝置和系統(tǒng)分析操作臺(tái)兩大機(jī)構(gòu)組成,其中機(jī)柜內(nèi)由絕緣子懸掛機(jī)件、電動(dòng)噴水、圖像拍攝裝置、除濕風(fēng)扇、引流托盤、儲(chǔ)水瓶、溫濕度測(cè)量模塊組成;操作臺(tái)由工控機(jī)、液晶顯示器、鍵盤、鼠標(biāo)、控制按鈕組成(如下圖);工控機(jī)內(nèi)裝有圖像取照軟件、憎水性分析軟件,默認(rèn)為開機(jī)運(yùn)行。 

MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置

2.1  基本工作方法

(1)采用噴水分級(jí)法(即HC法)輔助以靜態(tài)接觸角法(即CA法)

(2)工作人員把待測(cè)絕緣子掛入試驗(yàn)機(jī)柜。

(3)先對(duì)待測(cè)傘裙進(jìn)行定量噴灑水霧,然后用設(shè)備上的相機(jī)對(duì)噴水后的絕緣子進(jìn)行拍照保存。

(4)將拍攝存儲(chǔ)到電腦上的憎水性圖像導(dǎo)入憎水性分析軟件中,進(jìn)行判斷絕緣子的憎水等級(jí)。

2.2  憎水性等級(jí)分級(jí)方法

噴水分級(jí)法將絕緣子表面憎水性分為HC1-HC7 七個(gè)等級(jí),HC1級(jí)對(duì)應(yīng)憎水性的狀態(tài),HC7則對(duì)應(yīng)*親水性的表面。本裝置采用如下所述的兩種方法來對(duì)絕緣子表面的憎水性狀態(tài)進(jìn)行分級(jí)。

   (1)圖像對(duì)比法

將現(xiàn)場(chǎng)獲得的絕緣子憎水圖像同圖1-1所示的標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行對(duì)比,通過分析待測(cè)圖像與各標(biāo)準(zhǔn)圖像的相似性并參考表2-1所示的各HC等級(jí)的特征描述來進(jìn)行分級(jí)。

 
  

  表1  不同憎水性等級(jí)的圖像特征描述(注:θr接觸角)

HC值

絕 緣 子 表 面 水 滴 的 狀 態(tài)

1

僅形成分離的水珠,大部分水珠θr≥80°

2

僅形成分離的水珠,大部分水珠50°<θr<80°

3

僅形成分離的水珠,水珠一般不再是圓的,大部分水珠20°<θr≤50°

4

同時(shí)存在分離的水珠和水膜(θr=0°),總的水膜覆蓋面積<被測(cè)面積的90%,大的水膜面積<2cm2

5

總的水膜覆蓋面積<被測(cè)面積的90%,大的水膜面積>2cm2

6

總的水膜覆蓋面積>被測(cè)面積的90%,有少量的干燥區(qū)域(點(diǎn)或狹窄帶)

7

全部試驗(yàn)面積上覆蓋了連續(xù)的水膜

MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置

(2)改進(jìn)形狀因子法

通過計(jì)算絕緣子憎水圖像中的大水珠(或大水膜)的面積比K和形狀因子fc,并依據(jù)表2-1所示判據(jù)來進(jìn)行分級(jí)。面積比K的計(jì)算公式為:

 

            

 

(2-1)式中,大水珠(水跡)的面積和圖像總面積的單位均為像素。形狀因子fc由計(jì)算公式得到。

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